各向异性磁阻AMR光电开关传感器是一种可敏感磁场 范围的磁微传感器。AMR微型传感器可敏感静磁场的强度及方向。这种微传感器的制作 一般是在硅基底上沉积坡莫合金薄膜，然后再记得蚀成电阻条开关。在外磁场作用下，AMR薄膜的磁阻特性使电阻改变2%-3%

　　坡莫合金的磁阻效应当不存在外界磁场时，坡莫合金的内部磁极化强度与电流流动方向平行。如果外界磁场H与坡莫合鑫平面平行，但垂直于电流流动方向，则坡莫合金内部磁极化强度的方向将产生角度为A的育龄妇女。因此，坡莫合金的电阻值将会往前变，即R=RO+ROCOS2A。显然，由于二次基的存在，电阻与磁场强度之间的关系为非线性，且电阻值与磁场强度值之间也不是一一对应关系。