随半导体集成电路技术的发展，出现了一批基于集成工艺的光电器件，如光位置传感器、集成光敏对管和CCD、CMOS图像器件以及色敏器件等。
　　1、光位置光电开关传感器是当光照射到硅光敏二极管的某一位置时，结区产生的空穴向P层漂移，光生电子向N层漂移。到达P层额空穴分成两部分：一部分沿表面电子R1流向1端形成光电流i1；另一部分沿表面电阻R2流向2端形成光流I2.当电阻层均匀时是不受光强度变化影响。
　　光敏对管为满足光电检测中的差动输出等应用需要，可将两个光敏电阻对称布置在同一光敏面上，也可将光敏三极管制成对管形式，构成集成光敏器件。
　　光电池的集成工艺比较简单，它不仅可制成两元件对称布置的形式，而且可制成多个元件的线阵或二维面阵。光敏元件阵列传感器相对CCD图像传感器而言，每个元件都需要相应的输出电路，故电路较庞大，但是用HgCdTe元件、InSb等制成的线阵和面阵红外传感器，在红外检测领域中仍获得较多的应用。