快速导航
 
跑偏开关主要用途及适用范围
接近开关传感器的优点
接近开关厂家开关插座三个重要原则电路安全有
光电开关光电传感器原理解析
开关变换器中的电感和电容
六大类接近开关的介绍
光电开关、接近开关的应用电路
双向拉绳开关的工作原理与声光报警器的安装注
接近开关接线方法
三倍频电源发生器现场试验时有哪些注意事项?
如何最大限度使用磁翻板液位计进行工作
光电传感器主要特点是什么?
SD30-1210KA SD30-2410KA旋转监测仪
平衡流量传感器的工作原理及优点的详细介绍
双向拉绳开关有什么作用?
快速搜索
 
样本手册
 
 当前位置:首页 - 其他内容 - 技术支持
 
光电开关传感器的光电荷产生条件介绍
 
更新时间:2014.10.06 浏览次数:
 

  构成ccd的基本单元是mos电容器。与其他电容器一样,mos电容器能够存储器电荷,如果mos电容器中的半导体是p型硅,当在金属电极上施加一个正电压ug时,p型硅中的多数载流子空穴受到排斥,半导体内的涒数流子电子被吸引到p-si界面处,从而在界面附近形成一个带负电荷的耗尽区,也称表面势阱,对带负电的电子来说,耗尽区是个势能很低的区域。

  如果有光照射在硅片上,在光子作用下,半导体硅产生了电子-空穴对,由此产生的光电开关传感器的光生电子就被附近的势阱所吸收,势阱内所吸收的光生电子数量与入射到该势阱附近的光强成正比,存储器了电荷的势阱被称为电荷包,而同时产生的空穴被排斥出耗尽区。并且在一定的条件下,所加正电压ug越大,耗尽层就越深,si表面吸收少数载流子表面势半导体表面对于衬底的电势差也越大,这时势力阱所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。势阱中电荷包大小主要决定于所加正电压ug大小,入射到该势阱附近的光强。后者是光强的模拟电荷,从而完成光转换成电荷的过程。

本站推荐:南京凯基特电气有限公司主营接近开关光电开关拉绳开关等电气用品,支持批发代理加盟。
首页 |  全部产品 |  实用文章 |  新闻动态 |  工程案例 |  企业简介 |  购物车 |  联系我们 | 
点击咨询传感器厂家固定电话:400-6366-987 传真:025-66600375 网站技术支持:南京seo